现代芯城（深圳）科技有限公司

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 100 毫欧 @ 7.5A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 20nC @ 5V

Vgs（值） ±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 440pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 48.4W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

NTB18N06LT4G深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处，专注于为世界50NTB18N06LT4G0强等电子企业提供优势的电子元件分销服务，并成为众多客户的合作伙伴。 现代芯城代理分销各类主被动元件。经营品牌有1000多个，在发展原厂授权分销业务的同时，NTB18N06LT4G以降低成本提供全方位的一站式电子元件供应链解决方案。现代芯城代理分销的产品线应用领域涵盖消费类电子、电脑及周边、通讯、电信、工控、安防、电源、新能源、汽车电子及医疗设备等等。 凭借快速回应的服务，化的供货能力，现代芯城赢得了众多工厂的长期合作与赞誉；NTB18N06LT4G

现代芯城公司将持续发挥自己在资金、技术、物流、人力资源的优势，为客户提供一流的产品、全面的服务、完整的技术支持,与客户建立起性的战略合作关系，终发展成为世界闻名的IC混合型供应商。